颀中科技获得发明专利授权：“晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法”

酷企网消息，根据企查查数据显示颀中科技（688352）新获得一项发明专利授权，专利名为“晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法”，专利申请号为CN202110735094.7，授权日为2024年7月16日。

专利摘要：本发明公开了一种晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法，所述制备方法包括如下步骤：提供晶圆；在晶圆的上表面形成对位标记，其中，对位标记为厚度不低于0.3μm的金属块；在形成对位标记后的晶圆的上表面形成一介电层。与现有技术相比，本申请优化了晶圆介电层的制备工艺，在晶圆表面成型出介电层之前，预先在晶圆表面制备出对位标记。由于对位标记的厚度达0.3μm以上，具有较好的突出可见性，其在晶圆的后续工艺中能够很好的被识别并被用于定位，有利于后续工艺的展开；有效避免了在介电层制备阶段，因对位标记不可见而需返工的问题，保障了制程工艺的连续性，提高了生产效率，也节省了返工的人力物力成本。

今年以来颀中科技新获得专利授权10个，较去年同期增加了11.11%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.06亿元，同比增6.39%。

数据来源：企查查